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童志义; 葛劢冲;
中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京,东燕郊,101601;
157nm光刻; 氟化钙材料,局部反射光斑、双折射; 折反射光路; 保护薄膜; 污染控制; 浸液式光刻;
机译:20nm计算光刻技术的创新
机译:材料开发将ArF光刻技术扩展至20nm以下的图案
机译:157 nm光刻技术在抗蚀剂图案转移工艺方面的进展
机译:使用台式极紫外激光的相干光刻技术的进展。
机译:用20nm桑普斯缀合物对Skbr3乳腺癌细胞的合成表征和抗癌治疗潜能
机译:在一次1½小时吸入暴露后,在新生成的,原始,20nm银纳米粒子气溶胶中的28天,原始的,原始,20nm银纳米粒子气溶胶
机译:用软X射线光刻技术制备高纵横比区域板的研究进展
机译:157 nm微光刻技术的光致抗蚀剂,含氟聚合物和方法
机译:157 NM光刻技术的低吸收阻力
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