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比利时; 微电子技术; 光刻技术; 试验; 浸入; 纳米技术研究; CMOS技术; 半导体技术; 有机半导体; 研究中心; 研究方向; 环境技术;
机译:45nm代高性能系统LSI平台技术(CMOS 6)使用高NA(1.07)浸入光刻技术
机译:45nm以下光刻的材料选择:硅基双层抗蚀剂的浸入特性
机译:浸入45nm以下
机译:用于λ= 193nm的45nm技术节点闪存器件的Sub k1 = 0.25光刻技术和双图案技术
机译:在以下,以下以及以下:三位一体神在亚瑟·孔雀的进化神学中的创造性苦难。
机译:通过粘合光刻技术对不对称金属电极和器件进行15纳米以下的图案化
机译:用193nm光刻技术制作绝缘体上硅的光子线和晶体电路
机译:对于比利时1号核电站以下50%的涡轮机进行反应堆跳闸的建议删除的技术评估
机译:使用干式或浸没式光刻技术和取消Poizoningu光刻胶,使用45nm huichiyasaizu破坏光致抗蚀剂材料
机译:比利时菊苣修整机,具有通过比利时菊苣推回和推回的维护设备,当比利时菊苣通过圆盘旋转而与切割机构相对时,圆盘支撑比利时菊苣
机译:193nm以下的集光体用波长照明系统
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