提供90nm级工艺适用的光致抗蚀剂

摘要

当集成电路发展到亚150nm线宽时,工程技术人员提出各种重复转移高分辨率图形的方法,图形的尺寸只是所用光波波长的几分之一。193nm光致抗蚀剂在增强情况下分辩率达70nm,但在抗蚀性及线条边缘粗糙度方面仍需提高。同时,157nm光刻的聚合物平台已从"可行性"阶段迅速进入"成功在望"阶段,或许可从中首先推出商用光致抗蚀剂,走在大多数曝光设备成功的前面。