p-GaN上ォーミック電極形成のためのフェムト秒レーザー照射方法の検討

摘要

p型窒化ガリウム(p-GaN)上にォーミック電極を形成するためには、一般的に熱ァニールやイオン注入をお こなう。一方で、我々はp-GaNへフェムト秒レーザーを 照射することでォーミック電極の作製に成功した。この 手法は、局所的な改質が可能であり、対象の空間選択 性に優れているという特長がある。今回は、フェムト秒レ 一ザ一照射によるォーミック接触の形成手法とその I-V特性について報告する。