Institute for Semiconductor Technology and Nanoelectronics, Technische Universität Darmstadt, Darmstadt, Germany;
Institute for Semiconductor Technology and Nanoelectronics, Technische Universität Darmstadt, Darmstadt, Germany;
Institute for Semiconductor T;
Logic gates; Nanoscale devices; Transistors; Silicon; Electrodes; Schottky barriers; Doping;
机译:高温应用中的静电掺杂平面场效应晶体管
机译:静电掺杂水平对石墨烯纳米隧道场效应晶体管耗散运输的影响
机译:极性控制的静电掺杂隧道场效应晶体管的性能评估
机译:可重新配置耐掺杂的CMOS的静电掺杂2.5门平面场效应晶体管
机译:III-V材料与Si CMOS的“结级”异质集成,用于新型非对称场效应晶体管。
机译:CMOS兼容的硅纳米线场效应晶体管生物传感器:面向商业化的技术发展
机译:电可重构双金属栅平面场效应 用于无掺杂CmOs的晶体管
机译:具有0.25微米栅极假晶入(0.60)Ga(0.40)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp调制掺杂场效应晶体管的单片集成平面前端光接收器