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具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ‑Ⅴ族场效应晶体管

摘要

本发明描述了具有氮掺杂的栅极电介质界面和共形的栅极电极的Ⅲ‑Ⅴ场效应晶体管(FET)。利用氮对高k栅极电介质与非平面晶体管沟道区的Ⅲ‑Ⅴ族半导体表面的界面进行非定向掺杂。在纳米线实施例中,通过将所述栅极电介质暴露于氮的液态源、汽态源、气态源、等离子体态源或固态源,在共形栅极电极沉积之前或在共形栅极电极沉积的同时执行对高k栅极电介质界面的非定向氮掺杂。在实施例中,栅极电极金属共形沉积在所述栅极电介质之上,并且执行退火以沿着所述非平面Ⅲ‑Ⅴ半导体界面在所述栅极电介质内均匀地累积氮。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-20

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20130612

    实质审查的生效

  • 2015-05-06

    公开

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