锗硅基区禁带变窄量的研究

摘要

本文采用一种新的方法计算双极器件中原位掺B的Si<,0.80>Ge<,0.20>锗硅基区禁带变窄量.这种方法利用V<,BE>做自变量,在室温和液氮温度下测量器件的Gummel图,获得两条V<,BE>～lnI<,c>直线,求解交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔE<,G>.用这种方法测试的锗硅基区禁带变窄量的151meV,这个测量结果与文献中的数值符合得较好.