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刘晓彦; 林长海; 关旭东; 韩汝琦;
中国电子学会;
肖特基势垒栅场效应器件; 短沟效应; 掺杂浓度; 源漏接触;
机译:利用栅极工程抑制肖特基势垒MOSFET中的双极泄漏电流
机译:在具有多氧化物堆叠的高级MOSFET中,在建模栅极泄漏电流时,氧化物中存在陷阱态的影响
机译:高k栅介质的纳米级MOSFET的断态泄漏电流特性及机理分析
机译:栅极电流变化:研究三栅极MOSFET的关态泄漏和SRAM功耗的新理论和实践
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:更正:使用解析肖特基势垒MOSFET模型分析黑磷晶体管
机译:电沉积Ni / Ge触点,用于限制肖特基势垒mOsFET中的漏电流
机译:利用导纳技术测量Gaas肖特基势垒的界面态:与势垒高度不稳定性的关系
机译:降低Si / SiGe双通道CMOS中的关态泄漏电流
机译:结合CMOS中的谐振隧穿结构的栅极控制,以减少关态电流泄漏,电源电压和功耗
机译:功率MOSFET降低电流泄漏和制造功率MOSFET的方法
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