退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
杨建红; 李桂芳; 刘辉兰;
兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所;
关态泄漏电流; 边缘直接隧穿电流; 边缘诱导的势垒降低; 高k栅介质;
机译:纳米级MOSFET和隧道FET中的关态电流的基本物理学
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的关态击穿和泄漏电流传输分析
机译:在关态应力下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中电致发光,栅极电流泄漏和表面缺陷之间的联系
机译:栅极电流变化:研究三栅极MOSFET的关态泄漏和SRAM功耗的新理论和实践
机译:高电流密度阴极对电偶极层增强场和热电子发射的纳米尺度研究。
机译:浮体MOSFET的充放电动力学泄漏泄漏并激发神经元
机译:从真空火花到高电流真空电弧的过渡态中从金属等离子体中提取的高电荷态离子
机译:用于动态RAM中的高泄漏电流沟槽电容器单元的检测方法,涉及比较电容器单元的泄漏电流的量度以识别具有高泄漏电流的那些单元
机译:用于双向DC转换器的电流检测电路,具有高侧和低侧FET,电流镜电路根据参考电势将一组MOSFET的集电极电流施加到另一组MOSFET的集电极电流上
机译:降低Si / SiGe双通道CMOS中的关态泄漏电流
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。