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杨存宇; 王子欧; 谭长华; 许铭真;
北京大学微电子所;
关态应力; 栅感应漏电; 退化; 界面陷阱; P-MOSFETS; 场效应晶体管;
机译:负偏置温度应力下超薄氧氮化物栅极p-MOSFET的正栅极偏置下抑制的界面态弛豫的观察
机译:高温栅极偏置应力下低压p沟道功率MOSFET的退化机理研究
机译:n加上多晶硅栅极的高压p型MOSFET在交流应力下的异常退化
机译:热载流子应力下n-MOSFET中界面态引起的GIDL电流退化
机译:在时间相关的退化分析下估算应力-强度干扰可靠性的方法。
机译:在流体动力剪切应力作用下的中性粒细胞-中性粒细胞相互作用涉及L-选择蛋白和PSGL-1。一种在体外扩增P-选择素的白细胞初始积累的机制。
机译:漏极扩展PMOS晶体管的关态应力的综合分析: 参数退化和介电失效的理论与表征
机译:在开态和关态应力下alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的退化。
机译:恢复阈值电压的断态应力退化
机译:用于退化性肌肉疾病的疼痛缓解装置,例如风湿病,治疗,具有带有调节器和电池的太阳能电源,以及音频振动机制,利用线圈发射脉冲以将MOSFET切换为开/关
机译:态下具有降低的门氧化铁的mosfet halbleiteranordnung的制备方法
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