声明
第 1 章 绪论
1.1 研究背景与意义
1.2 可靠性研究现状
1.2.1 功率循环应力下可靠性研究
1.2.2 栅氧化层和界面态可靠性研究
1.2.3 重复极限应力下可靠性研究
1.3 研究存在的问题
1.4 论文研究的主要内容
第 2 章 功率循环老化试验设计
2.1 功率循环试验介绍
2.2 TO-247-4L 封装
2.3 功率循环试验装置设计
2.3.1 总体方案设计
2.3.2 壳温测量方法
2.3.3 结温测量方法
2.3.4 退化参数表征
2.4 功率循环试验方案
2.5 本章小结
第 3 章 功率循环应力下器件退化研究及寿命预测
3.1 封装退化分析
3.1.1 退化机理分析
3.1.2 结温波动对器件退化影响
3.1.3 平均结温对器件退化影响
3.1.4 焊料层电阻退化研究
3.2 芯片退化分析
3.3 预测模型介绍
3.4 模型初步建立
3.4.1 考虑 ΔTj的模型
3.4.2 考虑 Tjm和 ΔTj的模型
3.4.3 考虑 Tjm、ΔTj和 Iload的模型
3.5 本章小结
第 4 章 变换器应力下器件退化研究
4.1 功率因数校正技术及系统设计
4.1.1 PFC 技术介绍
4.1.2 Boost PFC 系统设计
4.2 SiC MOSFET 电、热应力分析
4.3 导通压降在线监测
4.4 SiC MOSFET 导通电阻退化
4.5 SiC MOSFET 芯片退化
4.6 退化机理分析
(1)封装退化机理
(2)芯片退化机理
4.7 本章小结
第 5 章 论文总结和展望
5.1 论文工作总结
5.2 今后工作展望
参考文献
致 谢
附录 攻读学位期间取得的研究成果
湖南大学;