开态热载流子应力下的 n-MOSFETs的氧化层厚度效应(英文)

摘要

在最大衬底电流条件下 (Vg=Vd/ 2 ) ,研究了不同氧化层厚度的表面沟道 n- MOSFETs在热载流子应力下的退化 .结果表明 ,Hu的寿命预测模型的两个关键参数 m与 n氧化层厚度有着密切关系 .此外 ,和有着线性关系 ,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数 ,但是如果对于不同厚度的氧化层 ,采用不同的 m与 n,Hu的模型仍然成立 .在这个结果的基础上 。