机译:具有通过快速热处理制备的氮化氧化物栅极电介质的MOSFET中的热载流子效应
机译:通过NH_3氮化和0.1微米的快速热退火制得的1.3-1.6 nm氮化氧化物,其应用范围超过CMOS技术
机译:热氮化栅氧化物厚度对4H碳化硅基金属氧化物半导体特性的影响
机译:亚100nm门长N-MOSFET中的热载波效应,具有热和氮化氧化物厚度为1.3nm
机译:氮化铝-碳化硅合金,氮化铝和氮化dium块状晶体的升华生长以及氮化铝的热氧化。
机译:具有增强的导热性能的三维异质结构还原氧化石墨烯-六方氮化硼堆叠材料
机译:通过辐照-退火处理提高金属氧化物-氮化物-氧化物半导体器件中的热载流子和辐射硬度