高K金属栅极P-型MOSFET的低阈值电压和反转氧化物厚度按比例缩小

摘要

一种结构具有半导体衬底（8）以及置于所述衬底（8）上的nFET和pFET。所述pFET具有形成在半导体衬底（8）的表面上或内的半导体SiGe沟道区、以及具有覆盖在所述沟道区上的氧化物层（20）和覆盖在所述氧化物层（20）上的高k电介质层（30）的栅极电介质。栅极电极覆盖栅极电介质并且具有邻接所述高k层的下金属层（40）、邻接所述下金属层（40）的清除金属层（50）以及邻接所述清除金属层（50）的上金属层（60）。