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胡靖; 穆甫臣; 许铭真; 谭长华;
北京大学微电子学研究所;
热载流子效应; p-MOSFET; 退化模型; 电子流量; 低栅电压范围;
机译:AC应力下热载流子引起的p-MOSFET退化
机译:低栅极电压应力下具有超薄栅极氧化物的90 nm栅极长度LDD- NMOSFET的热载流子退化
机译:具有高k栅叠层的短沟道nMOS器件在交流应力下的沟道热载流子退化
机译:动态栅脉冲应力下直流栅极偏置下n型多晶硅TFT热载流子退化的表征
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:本文提供了一个新的数值模型,该模型描述了暴露于高太阳热通量(高于1 / MW / m2)的热厚木材样品的行为。基于无量纲数的初步研究用于对问题进行分类并支持模型构建假设。然后,提出了一种基于质量,动量和能量平衡方程的模型。这些方程式与液体蒸汽干燥模型和假物种生物质降解模型耦合。通过与以前的实验研究进行比较,初步结果表明,这些方程不足以准确预测高太阳热通量下的生物量行为。的确,在样品暴露的表面上形成了充当辐射屏蔽层的炭层。除了这套经典的方程式之外,还必须考虑到辐射向介质的渗透。此外,由于生物质中含有水,因此还必须在炭蒸气汽化后进行连续的介质变形。最后,通过添加这两种策略,该模型能够在一定范围的样品初始水分含量下暴露于高辐射热通量的情况下,正确捕获生物质的降解。还得出了在高太阳热通量下生物量行为的其他见解。样品内部同时存在干燥,热解和气化前沿。这三个热化学前沿的共存会导致样品干燥产生的蒸汽产生焦炭气化,这是介质烧蚀的主要现象。
机译:再氧化氮化物氧化物p-mOsFET的通道热载流子应力
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子注入(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译:集成有感应放大器的FET存储器-使用低电源电压以避免热载流子应力
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