一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管

摘要

该发明公开了一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域。利用N型漏区或者P型源区与N型外延层之间的短接，共享高电位，从而使得N型埋层与N型源区或者P型漏区、本征区、P型衬底形成的PN结均为反偏，结果是降低原先器件源区下部由漏极电压控制的隧穿，此时的泄漏电流主要为N型外延层与N型源区或者P型漏区的反偏PN结电流，从而有效降低了小尺寸情况下隧穿场效应晶体管关态电流，此外，埋层可换成宽禁带材料，且避免该材料与硅接触引入二维电子气或极化电荷，则将会进一步降低反偏PN结电流。从而对漏极控制源区向本征区上隧穿进行抑制，以降低TFET的关态电流。