机译:工艺诱导的单轴压应力p-MOSFET中增强的孔栅直接隧穿电流
机译:轻掺杂肖特基势垒双栅金属氧化物场的二维分析计算和隧穿/热电子电流的估计
机译:具有SiO_2和高K栅极电介质的纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅极隧穿电流分析
机译:在0.5 / splμm/ m的“ OFF”状态MOSFET中,横向场增强的带-阱-带隧穿电流
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:错误:“通过分级异质结函数”驱动隧道场效应晶体管的电流增强“J。苹果。物理。 114,094507(2013)