首页> 外文会议>Electron Devices and Materials Symposium, 1994. EDMS 1994. 1994 International >Lateral field enhanced band-trap-band tunneling current in a 0.5 μm 'off' state mosfet
【24h】

Lateral field enhanced band-trap-band tunneling current in a 0.5 μm 'off' state mosfet

机译:在0.5μm“关”态mosfet中,横向场增强的带-阱-带隧穿电流

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摘要

style="font-variant: small-caps; font-size: .9em;">First Page of the Article class="img-abs-container" style="width: 95%; border: 1px solid #808080;" src="/xploreAssets/images/absImages/00771216.png" border="0">
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