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【2h】

Electrodeposited Ni/Ge contacts for limiting leakage currents in Schottky barrier MOSFETs

机译：电沉积Ni / Ge触点，用于限制肖特基势垒mOsFET中的漏电流

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作者
Husain Muhammad; Li Xiaoli; de Groot Kees;
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作者单位

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年度 2009
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原文格式 PDF
正文语种 {"code":"de","name":"German","id":7}
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