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罗葵; 高玉芝; 张录; 王玮; 孙玉秀; 张利春;
中国电子学会;
钴硅化物; 导电性; 半导体掺杂; 注入;
机译:通过将BF / sub 2 // sup + /注入双层CoSi / a-Si膜并随后进行退火来形成硅化钴p / sup + /多晶硅栅极的新工艺
机译:热预算低和高的硅微带探测器中BF〜(2+)和B〜+注入形成的p〜+ –n结的比较:氟对电特性的影响
机译:B和BF_2注入在绝缘体上的硅和硅中的B和BF_2注入时,距离缺陷带的末端与上部掩埋氧化物界面之间的相互作用
机译:注入了As,BF / sub 2 /和Si的多晶硅上CoSi / sub 2 /薄层的热稳定性
机译:通过等离子体注入氧气和等离子体浸没离子注入进行分离,以形成绝缘体上硅。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:位置敏感平面p-on-n信号形成的仿真研究 短程电荷注入后的硅探测器
机译:通过高剂量Co注入在sImOX晶片中形成Cosi(sub 2)。
机译:通过硅注入在浅结上形成CoSi.sub.2的方法
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
机译:对准后倾氧化层并通过多晶硅注入代码以达到耗尽型器件的特性
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