Annealing; Ceramics; Cobalt Silicides; Crystal Structure; EDB/360601; EDB/360605; Electric Conductivity; Electron Microscopy; Ion Implantation; Meetings; Physical Radiation Effects; Silicon; Substrates; Synthesis;
机译:通过内部热氧化(ITOX)工艺制造的小剂量SIMOX晶圆的技术创新
机译:大剂量SIMOX晶圆上的全耗尽SOI MOSFET静态背栅跨导特性中的纽结效应的新方面和机理
机译:高质量小剂量SIMOX晶圆
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机译:一般方法计算弯曲晶晶片的弹性变形和X射线衍射性能
机译:SIMOX晶片中掩埋氧化物层的原子结构
机译:用于全耗尽硅绝缘体的低剂量低能量sImOX