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机译:SIMOX晶片中掩埋氧化物层的原子结构
T. Shimura; T. Hosoi; K. Fukuda; M. Umeno;
机译:SIMOX的埋藏氧化物(BOX)的电学性质和微观结构通过原子力显微镜(C-AFM)研究
机译:SIMOX结构的埋入氧化物层中正电荷的产生
机译:高剂量,低剂量和内部热氧化法(通过注入氧晶片)中掩埋氧化物层中有序结构的比较
机译:simox晶圆中掩埋氧化物层的有序结构分析
机译:石墨烯氧化物原子层的三维工程结构
机译:通过原子层沉积制备掩埋纳米结构
机译:Simox薄材料中氧化埋层的形成和电性能
机译:通过低剂量simox工艺形成的超薄掩埋氧化物层
机译:在损伤工程植入过程中主动冷却晶圆,以增强SIMOX晶圆中掩埋氧化物的形成
机译:损伤工程植入期间的主动晶片冷却,以增强SIMOX晶片中的氧化埋藏
机译:在损伤工程植入过程中主动冷却晶圆,以增强simox晶圆中掩埋氧化物的形成
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