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罗葵; 高玉芝; 王玮; 孙玉秀; 刘诗美;
中国电子学会;
钴的硅化物; BF〈; 2〉〈’+〉注入; 多晶硅; 薄层电阻; 高温稳定性;
机译:通过将BF / sub 2 // sup + /注入双层CoSi / a-Si膜并随后进行退火来形成硅化钴p / sup + /多晶硅栅极的新工艺
机译:共掺杂和不掺杂POCl / sub 3 /的BF / sub 2 /或B注入多晶硅栅极的MOS电容器的特性
机译:BF_2〜+注入对钛硅化窄多晶硅线中空隙形成的影响
机译:注入了As,BF / sub 2 /和Si的多晶硅上CoSi / sub 2 /薄层的热稳定性
机译:材料不均匀性对多晶硅太阳能电池终端特性的影响。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:氟注入和结晶非晶硅膜上制造的顶栅多晶硅薄膜晶体管的特性
机译:掩埋Cosi(sub 2)电阻率对离子注入和退火条件的依赖性
机译:家具和家具构造的结构系统autoportanti autoportanti cosi u00bf已获得
机译:制作眼镜架的过程以及将眼镜架涂上涂层的cosi u00bf
机译:u5728 u03b1 u03bd u03c4 u03bb u03b7 u03c3 u03b5u u5236 u7684 u4ea7 u54c1 u53ef u4ee5 u901a u8fc7 u4e00 u03b2 u03c5 u03b8 u03bf u03ba u03bf u03c1 u03bf u03c5 u62d6 u8fb u03bd u03b7 u03b1 u03bd u03b1 u03c1 u03c1 u03bf u03c6 u03b7 u03c3 u03b5 u03c9 u03c2 u548c u03c1 u03c5 u03bc u03bf u03bf u03bf u03bf u03bf u03bf u03c u03b5 u03bd u03b7 u03b2 u03c5 u03b8 u03bf u03ba u03bf u03c1 u03bf u03c2 u03c7 u03bf u03b1 u03bd u03b7 u03b1 u03bd u03bc u03b1 u03bd u03bc u03c3 u03b5 u03c9 u03c2 u4e0e u8bbe u5907在这种情况下,
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