K-泛函

摘要： 研究了混合模空间中全纯函数的逼近性质与其边界函数值的光滑性的密切关系.采用q-光滑模得出Jackson定理、q-光滑模与本性K-泛函的等价性,并在混合模空间中借助K-泛函获得关于导数增长的Hardy-Littlewood定理和强逆估计.

摘要： 研究了二元Bernstein-Durrmeyer算子在Orlicz空间中的逼近性质,应用Jensen不等式和Höder不等式,以及定义在Orlicz空间中的K-泛函,推出了其在Orlicz空间中逼近正定理和逆定理.

摘要： 本文考虑了定义在圆盘U={z∈C∶1/2

摘要： 本文主要构造一类修正的Szász-Kantorovich算子推广,利用原点矩和中心矩推导该算子的局部逼近定理,同时借助K-泛函、光滑模、Korovkin定理等工具研究该算子的逼近定理,包括Voronovskaya型定理、收敛速率。

摘要： Szász算子和Kantorovich算子的良好性质引起了学者的广泛关注,成为研究算子逼近问题的重要工具之一。为此,构造一类新的修正q-Szász-Kantorovich算子,利用原点矩估计式和中心矩估计式得到Voronovskaja型定理,根据K-泛函和光滑模的性质研究算子的局部逼近性质,并利用Lipschitz函数类的性质对算子进行点估计。

摘要： Szász算子和Kantorovich算子的良好性质引起了学者的广泛关注,成为研究算子逼近问题的重要工具之一.为此,构造一类新的修正q-Szász-Kantorovich算子,利用原点矩估计式和中心矩估计式得到Voronovskaja型定理,根据K-泛函和光滑模的性质研究算子的局部逼近性质,并利用Lipschitz函数类的性质对算子进行点估计.

摘要： 研究了第一类Chebyshev加权正交多项式的Riesz算子,利用K-泛函对加权Sobolev空间中函数进行逼近研究,证明了Bochner-Riesz算子在L_(W)^(P)[−1,1]空间中的有界性,得到了K-泛函控制估计,进一步得到对加权Besov空间的刻画.

摘要： 考虑定义在圆盘U={z∈C:1/2<|z|<1}上解析且原点为其本性奇点的特殊复函数类的逼近.得2到最佳逼近E_(n-1)(f)_(2)分别与函数z^(r)f^((r))的m阶连续模及K泛函的精确Jackson不等式.然后,研究最佳逼近E_(n-1)(f)_(2)与函数z^(r)f^((r))的m阶连续模在区间(0,h)上的加权积分之间关系,得到相应的精确Jackson不等式.最后,得到关于函数z^(r)f^((r))的m阶连续模,函数z^(r)f^((r))的m阶连续模在区间(0,h)上的加权积分和K泛函等函数类上的最佳逼近及n维宽度.

摘要： 目的研究一种定义在Orlicz空间中的二元Kantorovich型算子的收敛性质。方法应用Jensen不等式和Hardy-Littlewood极大函数,以及Orlicz空间中K-泛函与光滑模的等价性计算该算子的有界性。结果与结论对二元Kantorovich型算子的逼近度进行度量,并给出该二元算子在Orlicz空间中逼近的正定理。

摘要： 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。

摘要： 本发明公开了一种基于共生多元泛函计算的电路系统信号分析与处理方法，主要包括以下步骤：1)基本信号选取；2)信号采集；3)初步运算处理；4)时窗选取；5)共生多元泛函计算；6)同一时窗内多个共生多元泛函获得；7)不同时窗内多个共生多元泛函获得。本申请可以对带电工作的各种电路系统中的参数进行实时精确测量，为电路系统优化运行所作的调控提供依据，可以对系统工作过程中其结构和参数变化进行识别和监测，为电路系统的保护提供依据。

摘要： 基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。

摘要： 本发明提供了一种基于密度泛函理论设计筛选新型钠盐的方法。本发明提出的小分子官能团替换以及基于密度泛函理论，进行新型钠盐结构设计的模拟方法，利用量子力学DFT理论计算方法对DFOP‑、DFOB‑和BOB‑官能团的氧化还原性进行理论研究，从理论上对钠盐的几何结构和电子结构进行深入分析，开发出氧化还原稳定性和解离性高的新型钠盐结构，大大减少了钠盐结构设计上的人力物力投入，更降低了相应的时间成本。

摘要： 本发明公开一种结合脑部解剖学特征的颅内血块能量泛函分割方法，步骤如下：输入脑出血CT图像，设置参数对其进行解剖学特征的提取，得到结合解剖学特征后的图像；在结合解剖学特征的图像上提取其影像学特征；基于解剖学和影像学特征，构建相应的能量泛函模型框架；考虑到脑出血血块独特的形状和面积，将形状和面积约束项融合到能量泛函模型框架中，得到更为完整的能量泛函模型；显示分割结果；可以获得更准确的分割结果。

摘要： 一种基于密度泛函理论的层状双金属氢氧化物钢筋阻锈剂设计方法，包括以下步骤：(1)通过建立层状双金属氢氧化物超晶胞模型，基于密度泛函理论对比分析氯离子、具有缓蚀性能的阴离子与层状双金属氢氧化物层板的结合能，筛选出具有高效捕捉氯离子性能的层状双金属氢氧化物；(2)通过建立铁表面超晶胞模型，基于密度泛函理论计算具有缓蚀性能的阴离子与铁表面的相互作用及稳定性，优选出对钢筋具有优异阻锈性能的阴离子；(3)结合(1)和(2)计算结果，设计出同时具有高效捕捉氯离子性能和优异阻锈性能的层状双金属氢氧化物钢筋阻锈剂。

摘要： 本发明提供了一种密度泛函理论展开项改进的方法、装置及存储介质，包括获取吸附质和吸附剂的参数信息；根据参数信息，建立吸附质在不同的孔径宽度范围内的吸附剂上的巨正则蒙特卡罗模型，并根据巨正则蒙特卡罗模型模拟不同温度、压力和化学势条件下，吸附质在不同孔宽度的吸附剂上的吸附行为，获得相应的吸附量和局部密度作为深度学习的样本；利用卷积核函数以及吸附质的参数信息表示加权密度；构建用于描述过剩自由能展开项的卷积神经网络，对卷积神经网络进行训练，以每次训练得到的局部密度作为输出构建损失函数确定经典密度泛函理论过剩自由能展开项。利用上述技术方案，获得改进的经典密度泛函展开项，从而提升气体吸附表征的精度。

摘要： 本发明提供了一种基于杂化密度泛函的SiC单晶缺陷性质的计算方法，涉及计算机模拟材料计算相关技术领域，包括如下步骤：步骤S1：将SiC原胞的晶格常数调整为实验值后，利用vasp软件对SiC原胞进行结构优化和弛豫，得到稳定态的SiC原胞；步骤S2：选取K点进行能带计算，基于杂化密度泛函测试不同混合参数下SiC原胞的禁带宽度，选择禁带宽度与实验值相匹配的混合参数；杂化密度泛函包括HSE泛函和PBE泛函；步骤S3：将SiC原胞扩大成超胞，在超胞中构建缺陷模型，对缺陷模型进行结构优化后，利用混合参数对优化后的缺陷模型进行自洽计算；步骤S4：获取计算数据，建立SiC缺陷性质数据库。本发明实现了对碳化硅单晶缺陷性质的精确计算。

摘要： 本发明公开了一种基于密度泛函理论设计多孔材料特异性吸附苯的方法，采用理论计算的方法，利用乙醛基团修饰吸附模型，设计构建对苯分子有特异性吸附的吸附模型，基于密度泛函理论，利用量子化学程序对乙醛基团修饰的吸附模型进行结构优化和单点能计算得到量子化学计算结果文件，利用量子化学和波函数分析的方法，对所设计的多孔材料吸附模型进行弱相互作用理论分析，研究MOFs多孔材料吸附模型对苯的吸附作用，从而获取对苯有特异性吸附的MOFs框架结构，为特异性吸附苯奠定坚实的理论依据。相比于直接采用实验室“试错式”吸附法，可准确高效地研究吸附机理，比实验更方便、更直观地获得特异性吸附苯的多孔材料结构。

摘要： 本发明提供了一种基于密度泛函理论预测高压环境下钙钛矿材料热电性能的方法，包括以下步骤：步骤1，对材料进行结构优化，获得优化后的晶胞结构；步骤2，基于步骤1中优化的结构作为初始结构，再进行结构优化，获得模型；步骤3，结构优化计算完成后进行材料的自洽计算，从而获得材料的电子输运性质；步骤4，基于步骤3得到的结果，估算材料在高压环境下的功率因子。本发明方法在整个过程中不涉及实验和不使用化学用品，不产生化学污染，符合绿色环保理念；且本发明成本较低、操作简单、准确性高、应用广泛且重复性好，易于实现，适合推广应用。