高集成

摘要： 为满足雷达接收机中频滤波器组集成滤波器数量多、集成度高的需求,文中采用三维集成技术,设计了一种小型化LC滤波器电路,并对三维LC滤波器在组件中的应用和集成工艺进行分析和研究。三维LC滤波器采用两个基板,利用三维集成工艺和BGA技术实现两个基板的三维集成组装。将电容元件置于底层基板可实现高密度布局,将电感元件置于顶层基板与电容元件分离,通过焊球实现信号互通。结果表明,采用三维集成方案可使LC滤波器电路尺寸减小近50%,滤波器指标与平面滤波器电路性能一致。相比于传统中频滤波组件设计方法,该方案更有利于实现高集成度和小型化。

摘要： 随着海上作战环境、作战模式和搜索目标特性日趋复杂,舰载雷达在舰载作战体系中的作用日趋增强。对此,文中针对某型舰载两面阵雷达天线的设计要求,重点提出了一种能够满足两面阵垂直布置和安装精度要求的两面阵雷达天线系统。同时在保证整体外形包络尺寸最小的情况下,使操作人员工作平台最大化,以便调试、观测及维修保养,并运用仿真软件NX对其进行了力学仿真验证。仿真结果及整机工程实施验证表明,该系统性能稳定,精度可靠,人机工程优异。

摘要： 在现有矩形栅极U形沟道场效应晶体管与深肖特基势垒场效应晶体管的基础上,提出一种高集成双矩形栅极U形沟道双向隧穿场晶体管。新设计利用更高的肖特基势垒来最小化热电子发射电流,并采用矩形主栅极产生强大的带带隧穿电流作为正向电流的传导机制;引入一个矩形辅助栅极,以有效阻止反向偏置漏电流。新设计可在不使用掺杂工艺的情况下,获得更低的亚阈值摆幅、更小的反向漏电流、更高的I_(on)/I_(off)比和更高的集成度,在更小的芯片面积上实现更优越的性能。

摘要： 随着微电子和半导体技术的高速发展,单芯片集成技术和多芯片堆叠技术不断取得进步,电子设备芯片化和片上系统实用化发展趋势明显。与此同时,雷达的小型化、低功耗、高集成、芯片化等发展需求非常迫切,高集成度的芯片化雷达在军、民两大领域均具有较大的发展与应用空间。无人机、无人战车和导引头等小型化作战装备不断兴起,对雷达芯片化和微型化提出了较为迫切的应用需求;智能驾驶、安检成像、手势识别等民用领域的突破和应用,也牵引着芯片雷达技术快速发展。因此,军事应用和民用场景的迫切需求,使得雷达系统集成度不断提升,驱动着芯片雷达技术的快速发展。

摘要： 随着相控阵技术的快速发展,数字相控阵系统对小型化、集成化、宽带化有了更高的要求。本文提出了一种收发全数字波束形成的新一代相控阵方案,研制了一套16通道的高集成度数字相控阵系统样机并完成了法向方向图测试。该方案采用高集成度射频前端,片内集成收发通道和频率合成器,相比传统分立器件方案更加紧凑。阵列整体采用瓦片集成方式,通过高密度垂直互联将天线阵面、校准网络、收发信道、波束形成器进行纵向集成,具备集成密度大、剖面低、通用性强、宽带特性好、易于扩展等诸多优点,具有良好的实用价值。

摘要： 基于多层微波数字复合基板层叠互联技术,研制的Ku波段综合馈电多功能板集成了射频收发网络、电源分配网络、阵面波控及波控分配网络,主要负责16个片式T/R组件的功率分配与合成,同时为各T/R组件提供电源及控制信号。文中对多功能板的架构设计、工作原理进行了说明,重点介绍了各微波垂直互联电路和射频收发网络的设计,最后加工并测试了验证样件,测试结果良好。收发网络总口驻波20 dB,且幅度一致性≤0.602 dB,相位一致性≤6.429°。工程应用可行性和实用性得到了验证。

摘要： 本文提出了一种高集成、小型化、高可靠的八通道X波段变频接收前端设计方法。该接收前端主要由八个变频SIP、本振功分网络,BIT功分网络等组成。采用微波板、环氧板混压技术实现了变频接收前端基板的制作,利用垂直互联、钻孔等技术实现了板内射频、电源、控制信号的互连,采用SMT表面贴装技术完成该接收前端的装配。通过仿真技术对过渡结构的微波信号传输性能进行了分析,最后实测结果表明该八通道接收前端在8-12GHz范围内增益为40±2dB,噪声系数优于6dB,通道间隔离度优于50dB,满足指标要求。

摘要： 针对某车载有源相控阵雷达高机动的设计需求,天线阵面采用高集成和功能模块化设计,由功能结构一体化冷却面板替代不锈钢冷却管网,由盲插互连的馈线综合层替代电缆组件直插式结构.相较于传统天线阵面,其厚度减小了一半,质量减轻了40％.天线骨架采用内外框架拼装式新型结构,外框架由箱梁拼焊,保证结构强度,内框架采用横纵梁和天线面板逐级定位的高精度设计,保证天线阵面设备间盲插互连的可靠性,为天线阵面的高集成设计提供了一种新的思路.文中还建立了天线骨架的有限元模型,进行静力分析和振动冲击分析,得到了天线骨架在各工况下的应力云图和变形云图.研究结果表明,天线阵面结构在各工况下均能满足电讯提出的精度指标要求,整体性能较好.

摘要： 针对相控阵雷达阵面超宽带、集成化、轻量化的发展要求,提出了一种集宽带接收网络、内校正网络、电源分配网络和波束控制网络于一体的综合馈电多功能板.文中详细介绍了超宽带高集成综合馈电多功能板的工作原理、基本组成、关键电路设计和核心制作技术,最后对实物样板进行装配测试.实测结果表明,设计的综合馈电多功能板符合相应的技术指标要求,保证了星载相控阵雷达天线片式集成的可行性.

摘要： 站在奔向未来的当口,前所未有的、催生加速改变的力量扑面袭来,正势不可挡地改写着历史、改造着未来。现代化所依靠的科技,正以新速度、大剂量、高集成的方式,向包括教育在内的各大领域全方位地肆虐着。其中,最引人注目、且迅速弥漫的技术要算信息与网络、人工智能高科技。

摘要： 高集成和高分散是自动化领域的发展趋势，也是玻璃行业自动化的发展总趋势。

摘要： 该文介绍了一种实用型智能压力传感器的系统组成和工作原理，并提出今后的发展方向。

摘要： 该文介绍了一种实用型智能压力传感器的系统组成和工作原理，并提出今后的发展方向。

摘要： 该文介绍了一种实用型智能压力传感器的系统组成和工作原理，并提出今后的发展方向。

摘要： 该文介绍了一种实用型智能压力传感器的系统组成和工作原理，并提出今后的发展方向。

摘要： 工业仪表与系统的应用现状与发展趋势。

摘要： 工业仪表与系统的应用现状与发展趋势。

摘要： 工业仪表与系统的应用现状与发展趋势。

摘要： 工业仪表与系统的应用现状与发展趋势。

摘要： 工业仪表与系统的应用现状与发展趋势。

摘要： 本实用新型涉及一种高功率集成控制装置及包含该装置的高功率集成控制器，所述装置包括集成电气模块、驱动板和控制板，驱动板通过第一支撑组件固定于集成电气模块上，控制板通过第二支撑组件架设于驱动板上方；所述高功率集成控制器包括：散热底板、箱体、高压插接件、进水管、出水管和接口板，散热底板安装于箱体内部，高功率集成控制器固定在散热底板上方，进水管和出水管均与散热底板的侧表面连接，高压插接件和接口板均设置与箱体外表面，并与高功率集成控制装置电气连接。与现有技术相比，本实用新型具有集成程度高、装配效率高以及可维护性高等优点。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，并通过通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层镍-铬合金电阻薄膜；接着用同样的方式形成一层金属薄膜；然后，对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，得到所需的薄膜图形；经激光调阻和划片分离后，即得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后用薄膜混合集成方式在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路及其集成方法，该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)置于器件管壳基座(1)之上。集成方法是高真空溅射并进行刻蚀形成金属电极、N型半导体、P型半导体。本集成电路可以解决外界温度在125°C以上或-55°C以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

摘要： 高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路及其集成方法，该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)置于器件管壳基座(1)之上。集成方法是高真空溅射并进行刻蚀形成金属电极、N型半导体、P型半导体。本集成电路可以解决外界温度在125°C以上或-55°C以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，并通过通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层镍-铬合金电阻薄膜；接着用同样的方式形成一层金属薄膜；然后，对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，得到所需的薄膜图形；经激光调阻和划片分离后，即得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后用薄膜混合集成方式在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明提供了一种用于深空探测的高集成度高可靠高稳频率源设计方法及系统，包括：步骤S1：高稳频率源产生多路高稳频率基准信号；步骤S2：多路高稳频率基准信号两两合路后进行滤波处理，形成多路信号，为多台单机提供高稳定度的频率基准信号。本发明设计的高稳频率源使用1路高稳晶振输出，在高集成度和高可靠性设计的基础上，为多台单机提供高稳定度的外部输入频率基准信号。

摘要： 高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路，包括器件管壳基座(1)、管脚(9)、上陶瓷基片(2)、下陶瓷基片(12)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)，上陶瓷基片(2)正面为常规的混合集成电路；背面集成微型热电致冷器(11)和N型半导体(7)及P型半导体(8)；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端有引出连接线，填充有绝缘介质(10)；下陶瓷基片(12)背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上；管脚(9)装在器件管壳基座(1)两端。本集成电路可以解决外界温度在125°C以上或-55°C以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

摘要： 高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路，由器件管壳基座(1)、管脚(9)、陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成，包括薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、半导体芯片(3)以及微型元器件；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)背面置于器件管壳基座(1)之上，管脚(9)装在器件管壳基座(1)的两端。本集成电路可以解决外界温度在125°C以上或-55°C以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。