机译:电子设备,半导体器件,绝缘片和制造半导体器件的方法
公开/公告号EP3923317A1
专利类型
公开/公告日2021-12-15
原文格式PDF
申请/专利号EP20200752103
发明设计人 TSUCHIDA SHINYA;SABELSTROM NILS;MORISHITA MITSUHARU;HIROSE KENJI;HAYASHIBARA MASANORI;TAMURA TETSUJI;OONISHI SEI;SUGAWARA NOBUYUKI;
申请日2020-02-03
分类号H01L23/36;H01L23/40;H05K7/20;
国家 EP
入库时间 2024-06-14 22:31:49