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机译：随机存取记忆体和记忆体配对
公开/公告号GB1546487A
专利类型
公开/公告日1979-05-23
原文格式PDF
申请/专利权人 INTEL CORP;
申请/专利号GB19760018023
发明设计人
申请日1976-05-03
分类号H01L29/78;
国家 GB
入库时间 2022-08-22 19:27:27
机译： 具有用于恢复存储单元的平台的动态随机存取存储器（DRAM），包括连接在较高电源电压和一对位线之间的三个双栅极p-MOS晶体管
机译： 非接触式随机存取存储单元和单元对
机译： 动态随机存取存储器-为每个单元连续提供分组的存储单元。具有传输和子传输门的电容器和FET，其各自的阈值电压在单元之间的高值和低值之间交替。
