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记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列

摘要

一种记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列,记忆体装置包括记忆体阵列,记忆体阵列具有:记忆体阵列的第一列中的第一记忆体单元;记忆体阵列的第一列中的第二记忆体单元;第一读取位元线,在列方向上延伸且连接至第一记忆体单元以自第一记忆体单元读取数据;及第二读取位元线,在列方向上延伸且连接至第二记忆体单元以自第二记忆体单元读取数据。

著录项

  • 公开/公告号CN113851162A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN202110210088.X

  • 发明设计人 藤原英弘;丘奕勋;王奕;

    申请日2021-02-24

  • 分类号G11C11/408(20060101);G11C11/4094(20060101);

  • 代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

  • 入库时间 2023-06-19 13:26:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-13

    著录事项变更 IPC(主分类):G11C11/408 专利申请号:202110210088X 变更事项:发明人 变更前:藤原英弘丘奕勋王奕 变更后:藤原英弘邱奕勋王奕

    著录事项变更

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