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记忆体阵列以及记忆体装置

摘要

本发明是有关于一种记忆体阵列以及记忆体装置。该记忆体装置,包括:一基底、多个字线、多个导电区以及至少一遮蔽插塞。基底上配置字线,且配置至少一虚拟字线邻近该些字线。导电区则位于基底中且分别介于该些字线之间。遮蔽插塞位于基底上并且邻近虚拟字线,并介于虚拟字线与该些字线之间,并且在虚拟字线周围并未配置任何自行对准源极区。

著录项

  • 公开/公告号CN101800073B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200910137300.3

  • 发明设计人 罗俊元;易成名;吕文彬;

    申请日2009-05-05

  • 分类号

  • 代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-18

    授权

    授权

  • 2010-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 8/14 申请日:20090505

    实质审查的生效

  • 2010-08-11

    公开

    公开

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