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Multilevel Random-Access Memory Using One Transistor per Cell.

机译：每个单元使用一个晶体管的多级随机存取存储器。

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作者
Heald, R. A.; Hodges, D. A.;
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年度 1976
页码 1-11
总页数 11
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Random access computer storage; Field effect transistors; Solid state electronics; Circuit analysis; Long life; Fabrication; Reprints;

机译：随机存取计算机存储器;场效应晶体管;固态电子器件;电路分析;长寿命;制造;重印;

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