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PHASE SHIFT MASK, METHOD OF MANUFACTURING THE PHASE SHIFT MASK, AND EXPOSURE METHOD USING THE PHASE SHIFT MASK

机译:相移掩模,制造相移掩模的方法以及使用相移掩模的曝光方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase shift mask which is capable of easily forming desired pattern shapes, a method of manufacturing the phase shift mask and an exposure method using the phase shift mask. SOLUTION: A quartz substrate 1 has first light transparent parts 1a and second light transparent parts 1b allowing the transmission of exposure light. The first and second light transparent parts 1a and 1b are so constituted that the phases of the exposure light allowing the transmission of both are changed 180 deg.C from each other. Semi-light shielding films 3 exist between the first and second light transparent parts 1a and 1b and are formed in partial regions of the first and second light transparent parts 1a and 1b. The semi-light shielding films 3 have the transmittance of 3 to 30%.
机译:解决的问题:为了提供能够容易地形成期望的图案形状的相移掩模,制造该相移掩模的方法和使用该相移掩模的曝光方法。解决方案:石英基板1具有第一透光部分1a和第二透光部分1b,允许透射曝光光。第一和第二透光部分1a和1b被构造成使得允许两者透射的曝光光的相位彼此改变180℃。半遮光膜3存在于第一透光部分1a和第二透光部分1b之间,并且形成在第一透光部分1a和第二透光部分1b的部分区域中。半遮光膜3具有3%至30%的透射率。

著录项

  • 公开/公告号JP2002082425A

    专利类型

  • 公开/公告日2002-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP;

    申请/专利号JP20010227803

  • 发明设计人 NAKAO SHUJI;

    申请日1994-03-09

  • 分类号G03F1/08;H01L21/027;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:57:19

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