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STATIC SEMICONDUCTOR MEMORY CELL FORMED IN AN N-WELL AND P-WELL

机译:N井和P井形成的静态半导体记忆细胞

摘要

A memory cell includes an n well and a p well. A word line is provided over memory cell and n well and p well are arranged in a direction in which word line extends. A single word line is provided for each memory cell and formed of metal.
机译:存储器单元包括n阱和p阱。在存储单元上提供字线,并且在字线延伸的方向上布置n阱和p阱。为每个存储单元提供单个字线并且由金属形成。

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