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【2h】

All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory

机译：基于全氧化物半导体的薄膜互补静态随机存取存储器

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作者
Jin Yang; Yuzhuo Yuan; Yunpeng Li; Lulu Du; Yiming Wang; Zhenjia Hu; Qingpu Wang; Li Zhou; Qian Xin; Aimin Song;
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年度 2018
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1. All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory [J] . Jin Yang, Yuzhuo Yuan, Yunpeng Li, Electron Device Letters, IEEE . 2018,第12期

机译：基于全氧化物半导体的薄膜互补静态随机存取存储器
2. Solution-processed carbon nanotube thin-film complementary static random access memory [J] . Geier Michael L., McMorrow Julian J., Xu Weichao, Nature nanotechnology . 2015,第11期

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3. Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation [J] . Kondo Takahiro, Yamamoto Hiromasa, Hoketsu Satoko, Japanese journal of applied physics . 2015,第4s期

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4. A 4 kbit synchronous static random access memory based upon delta-doped complementary heterostructure insulated gate field effect transistor technology [C] . Grider, D.E., Mactaggart, Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1991. Technical Digest 1991., 13th Annual . 1991

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5. Static Random-Access Memory Designs Based on Different Finfets at Lower Technology Node (7NM) [D] . Nizam, Athiya . 2019

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