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具有量子井结构的半导体元件和半导体元件的形成方法

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半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III-V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。

著录项

公开/公告号CN100407527C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-07-30

原文格式PDF
申请/专利权人住友电气工业株式会社;
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申请/专利号CN200510009454.6
发明设计人京野孝史;上野昌纪;秋田胜史;
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申请日2005-02-08
分类号H01S5/343(20060101);H01L33/00(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人朱丹
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:00:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-27

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/343 授权公告日:20080730 终止日期:20170208 申请日:20050208

专利权的终止
2008-07-30

授权

授权
2008-07-30

授权

授权
2006-12-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-12-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-08-24

公开

公开
2005-08-24

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