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Stacked hybrid interposer through silicon via (TSV) package

机译:通过硅过孔(TSV)封装的堆叠式混合中介层

摘要

An integrated circuit (IC) device is provided. The IC device includes a first die having a surface with a first pad formed thereon, a second die having a surface with a second pad formed thereon, and a substrate interposer that couples the first pad to the second pad. The substrate interposer is coupled to the surface of the first die and the surface of the second die.
机译:提供了一种集成电路(IC)设备。该IC器件包括:第一管芯,其表面上形成有第一焊盘;第二管芯,其表面上形成有第二焊盘;以及基板插入件,其将第一焊盘和第二焊盘耦接。衬底中介层耦合到第一管芯的表面和第二管芯的表面。

著录项

  • 公开/公告号US2010314730A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHAIK LABEEB;

    申请/专利号US20090457595

  • 发明设计人 SHAIK LABEEB;

    申请日2009-06-16

  • 分类号H01L23/495;B32B37/12;H01R43;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:15:07

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