机译:具有TSV的硅中介层封装制造过程中的变形预测
SUNY Binghamton, Dept Mech Engn, 85 Murray Hill Rd, Vestal, NY 13850 USA;
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Adv Semicond Engn Inc, 26 Chin 3rd Rd, Kaohsiung, Taiwan;
Adv Micro Devices Inc, 7171 Southwest Pkwy, Austin, TX 78735 USA;
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SUNY Binghamton, Dept Mech Engn, 85 Murray Hill Rd, Vestal, NY 13850 USA;
Package stress; Simulation; Through silicon via (TSV) interposer; Warpage; 2.5D package;
机译:具有与硅中的TSV相同间距的直通封装的超薄3-D玻璃中介层的设计,制造和表征
机译:带有腔体的TSV硅中介层的设计和制造,用于三维IC封装
机译:具有通过硅通孔(TSV)插入器的大晶粒细间距铜/低k $ FCBGA封装的开发
机译:具有3D封装的高密度互连的硅中介层的晶片级湿法高纵横比的硅通孔(TSV)具有高均匀性和低成本
机译:MEMS传感器封装和TSV中介层封装的应力和变形最小。
机译:高电阻Si插入器的RF冗余TSV互连
机译:用电线弧添加制造技术预测薄壁零件制造变形的模型