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Method of correcting defect in EUVL mask

机译:校正EUVL掩模中的缺陷的方法

摘要

EUV mask defect correction method of the present invention is ready to repair tip is bonded to the surface monolayer , and that step , by placing the tip on the repair defects in EUV mask and coupling attached to the monolayer and fault repair tips, and to move in a direction away from the Repair Tips on EUV mask defect is separated from the EUV mask includes a step .
机译:本发明的EUV掩模缺陷校正方法准备好将尖端修复到结合到表面单层上,并且该步骤,通过将尖端放置在EUV掩模中的修复缺陷上并耦合到附着到单层和故障修复尖端上,并移动在远离EUV面罩的维修技巧的方向上,将缺陷从EUV面罩中分离出来包括一个步骤。

著录项

  • 公开/公告号KR101069439B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20090132248

  • 发明设计人 전 준;

    申请日2009-12-28

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:49:43

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