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【2h】

Detectability and printability of EUVL mask blank defects for the 32-nm HP node

机译：EUVL掩模空白缺陷对32-NM HP节点的可检测性和可打印性

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作者
Wonil Cho; Hak-Seung Han; Kenneth A. Goldberg; Patrick A. Kearney; Chan-Uk Jeon;
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年度 2007
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1. Inspection of EUVL mask blank defects and patterned masks using EUV photoemission electron microscopy [J] . Jingquan Lin, J. Maul, N. Weber, Microelectronic Engineering . 2008,第5a6期

机译：使用EUV光发射电子显微镜检查EUVL掩模的空白缺陷和图案化掩模
2. Lithographic qualification of new opaque MoSi binary mask blank for the 32-nm node and beyond [J] . Greg Mclntyre, Michael Hibbs, Jaione Tirapu-Azpiroz, Journal of microanolithography, MEMS, and MOEMS . 2010,第1期

机译：新的不透明MoSi二元掩膜空白的32纳米节点及更高的光刻资格
3. Lithographic qualification of new opaque MoSi binary mask blank for the 32-nm node and beyond [J] . Greg McIntyre Michael Hibbs Jaione Tirapu-Azpiroz Geng Han Scott Halle Tom Faure Ryan Deschner Brad Morgenfeld Sridhar Ramaswamy Alfred Wagner Tim Brunner and Yasutaka Kikuchi Journal of Micro/Nanolithography,MEMS,and MOEMS . 2010,第1期

机译：新的不透明MoSi二元掩膜空白的32纳米节点及更高的光刻资格
4. Detectability and printability of EUVL mask blank defects for the 32 nm HP node [C] . Wonil Cho, Hak-Seung Han, Kenneth A. Goldberg, Conference on Photomask Technology; 20070918-21; Monterey,CA(US) . 2007

机译：用于32 nm HP节点的EUVL掩模空白缺陷的可检测性和可印刷性
5. Correction strategies to compensate for image placement errors induced during EUVL mask chucking. [D] . Vukkadala, Pradeep. 2010

机译：校正策略以补偿在EUVL掩模卡盘过程中引起的图像放置错误。
6. Split4Blank: Maintaining consistency while improving efficiency of loading RDF data with blank nodes [O] . Atsuko Yamaguchi, Yasunori Yamamoto -1

机译：Split4Blank：在保持一致性的同时提高了用空白节点加载RDF数据的效率
7. Printability study of pattern defects in the EUV mask as a function of hp nodes [O] . Tae-Geun Kim, Hwan-Seok Seo, In-Yong Kang, 2012

机译：EUV掩模模式缺陷作为HP节点的函数的可印刷性研究

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