法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/00 授权公告日:20060104 终止日期:20151219 申请日:20021219
专利权的终止
2006-01-04
授权
授权
2004-07-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-05-19
公开
公开
机译: 掩模图案校正方法,掩模图案校正程序,掩模图案校正设备,曝光条件设置方法,曝光条件设置程序,曝光条件设置设备,半导体器件制造方法,半导体器件制造程序和半导体器件制造设备
机译: 用于校正掩模图案的方法,用于校正掩模图案的装置,用于记录中型存储掩模图案校正程序的方法以及用于制造半导体器件的方法
机译: 用于校正掩模图案的方法,用于校正掩模图案的程序,用于校正掩模图案的设备,用于设定曝光条件的方法,用于设定曝光条件的程序,用于设定曝光条件的设备,用于制造半导体装置,制造装置,设备,方法的方法用于制造半导体设备