掩模图案校正装置和掩模图案校正方法、掩模制备方法和半导体器件生产方法

摘要

用光学邻近效应校正装置对设计图案的光学邻近效应进行校正(ST2)，在校正光学邻近效应之后，用模拟装置模拟图案，产生栅极电极的转移图案(ST3)，按照有关对于电路要求的特性改变栅极电极转移图案中的测量位置(ST4，ST5)。然后，按照对电路要求的是更高的速度、稳定性还是减少漏电流，判断上述栅极电极转移图案的测量点处偏离设计值的偏差是否落在允许范围内(ST7)。当偏差没有落在允许范围内时，移动测量点的校正图案(ST8)。通过重复反馈直至测量点落在允许范围内为止(ST3至ST8)，在起栅极作用的范围内，按照对电路要求的特性进行最佳校正。