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Atmospheric Plasma Etching Device for Opening Of Pad Region On TFT Substrate, And Plasma Etching Method Using The Same

机译:TFT基板上的焊盘区域的开放式等离子刻蚀装置及使用该装置的等离子刻蚀方法

摘要

PURPOSE: An atmospheric plasma etching device for opening the pad region of a TFT substrate and plasma etching method using the same are provided to open the pad region of the TFT substrate without an expensive photo process, thereby saving manufacturing costs. CONSTITUTION: A plasma generating unit(200) comprises an electrode module(210) including an anode(210-1) and a cathode(210-2). A slit hole(211) for spraying plasma flame to the pad region of a TFT substrate(100) is formed on the anode. An etching unit(300) comprises an exhaustion adjusting module(320). A sample transfer module(310) includes an align device(312) which matches the pad region of a substrate on a stage with the slit hole. The etching unit is located on the plasma generating unit.
机译:目的:提供一种用于打开TFT基板的焊盘区域的大气等离子体蚀刻装置以及使用该大气等离子体蚀刻装置的等离子体蚀刻方法,以在不进行昂贵的光处理的情况下打开TFT基板的焊盘区域,从而节省了制造成本。组成:等离子体产生单元(200)包括电极模块(210),该电极模块包括阳极(210-1)和阴极(210-2)。在阳极上形成用于向TFT基板(100)的焊盘区域喷射等离子火焰的狭缝孔(211)。蚀刻单元(300)包括排气调节模块(320)。样品转移模块(310)包括对准装置(312),该对准装置(312)使具有台架的基板的焊盘区域与狭缝孔相匹配。蚀刻单元位于等离子体产生单元上。

著录项

  • 公开/公告号KR101103349B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20090100814

  • 发明设计人 이상로;임성실;김윤환;임찬주;

    申请日2009-10-22

  • 分类号H01L21/3065;H05H1/26;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:08:48

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