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机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀对微/纳米流体器件进行耐热玻璃基板的刻蚀
Ohio State Univ, Dept Elect & Comp Engn, Columbus, OH 43210 USA;
Ohio State Univ, Dept Chem & Biomol Engn, Columbus, OH 43210 USA;
Ohio State Univ, Dept Mech Engn, Columbus, OH 43210 USA;
机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀功率对蓝宝石衬底刻蚀速率和表面粗糙度的影响
机译:用于高纵横比蚀刻熔融二氧化硅,硼硅酸盐和铝硅酸盐玻璃基板的高纵横比蚀刻的电感耦合等离子体反应离子蚀刻工艺
机译:在电感耦合等离子体反应离子蚀刻中的多步 - 偏压蚀刻来减少血浆诱导的N型GaN损伤
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:电感耦合等离子体蚀刻条件对半极性形成的影响(
机译:在优化的化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体和反应离子蚀刻形成独特的GaN结构