GaN; inductively coupled plasma; dry etching; nanostructures; morphology; light emitting devices;
机译:通过在优化化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体形成GaN的截面结构和反应离子蚀刻
机译:石英基板电感耦合等离子体反应离子刻蚀的优化条件比较及其光学应用
机译:为改善GaAs / AIGaAs材料的感应耦合等离子体反应离子刻蚀而开发的腔室调节工艺
机译:电容耦合等离子体中光学计算机断层扫描的研制,等离子体蚀刻电感耦合等离子体
机译:控制在感应耦合等离子体中蚀刻过程中形成和去除涂层的相对速率。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:电感耦合等离子体蚀刻条件对半极性(({11 overline {2} 2}})的影响)和非极性(({11 overline {2} 0} ))GaN Nanorods