碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备及方法，设备包括：带真空系统的腔体，在腔体内自下而上置有控制等离子体刻蚀能量的RF源，带控温系统的样品台，下进气线圈，产生等离子体浓度的RF源，上进气线圈。利用该设备刻蚀微台面列阵的方法特征为：工艺气体选用CH₄/N₂/Ar，配比为1-3∶1-10∶15-30，并使其中的N₂/Ar从上进气线圈进入腔体，而CH₄从下进气线圈进入腔体。本发明的最大优点是：工艺气体中不含H₂，并使N₂/Ar从上进气线圈进入腔体，CH₄从下进气线圈进入腔体，降低了刻蚀等离子体中的氢原子刻蚀基的浓度，从而减小了刻蚀表层电学损伤的厚度，而且还能保证好的刻蚀表面清洁度和较高的刻蚀速率。