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ADAPTIVELY PROGRAMMING OR ERASING FLASH MEMORY BLOCKS

机译:自适应编程或擦除闪存块

摘要

The embodiments described herein relates generally to programming or erasing the flash memory . In one embodiment, the method for programming or erasing the contents of the blocks of the flash memory includes a step of outputting at least a portion of the block and the step of determining the pulse voltage of the pulse , based on the age of the block . The pulse is used to program or erase the block . ;
机译:本文描述的实施例通常涉及对闪存进行编程或擦除。在一个实施例中,用于编程或擦除闪存的块的内容的方法包括以下步骤:输出块的至少一部分;以及基于块的寿命来确定脉冲的脉冲电压的步骤。 。该脉冲用于编程或擦除该块。 ;

著录项

  • 公开/公告号KR20140134721A

    专利类型

  • 公开/公告日2014-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SPANSION LLC;

    申请/专利号KR20147030822

  • 发明设计人 PAK JAMES;NEO TIO WEI;SHETTY SHIVANANDA;

    申请日2013-04-01

  • 分类号G11C16/06;G11C16/10;G11C16/16;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:01:34

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