机译:具有光子纳米结构的垂直发光二极管及其制造方法
公开/公告号US9647183B2
专利类型
公开/公告日2017-05-09
原文格式PDF
申请/专利号US201514927723
发明设计人 SIVASHANKAR KRISHNAMOORTHY;KRISHNA KUMAR MANIPPADY;SURANI BIN DOLMANAN;KAIXIN VIVIAN LIN;SIEW LANG TEO;SUDHIRANJAN TRIPATHY;
申请日2015-10-30
分类号H01L29/06;H01L31/00;H01L33/58;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:41:46