公开/公告号CN101508432A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-08-19
原文格式PDF
申请/专利权人 索尼株式会社;
申请/专利号CN200810005631.7
申请日2008-02-14
分类号C01B31/02(20060101);B32B7/08(20060101);B32B9/00(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/54(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人吴培善
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 22:27:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-12
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B31/02 申请公布日:20090819 申请日:20080214
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-02-02
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/02 申请日:20080214
实质审查的生效
2009-08-19
公开
公开
机译: 制备碳纳米管膜的方法,具有三明治结构的碳纳米管膜,包括碳纳米管膜的阳极和包括碳纳米管和阴极器件的有机发光二极管
机译: 制备碳纳米管薄膜的方法,具有三明治结构的碳纳米管薄膜,包括碳纳米管薄膜的阳极以及包括阳极和碳纳米管装置的有机发光二极管
机译: 碳纳米管的制造方法,碳纳米管膜的制造方法以及具有该碳纳米管膜的结构