首页> 外国专利> OVERLAY ERROR CORRECTION

OVERLAY ERROR CORRECTION

机译:重叠错误更正

摘要

A calibration curve for a wafer comprising a layer on a substrate is determined. The calibration curve represents a local parameter change as a function of a treatment parameter associated with a wafer exposure to a light. The local parameter of the wafer is measured. An overlay error is determined based on the local parameter of the wafer. A treatment map is computed based on the calibration curve to correct the overlay error for the wafer. The treatment map represents the treatment parameter as a function of a location on the wafer.
机译:确定用于在衬底上包括层的晶片的校准曲线。校准曲线表示局部参数变化,该变化是与晶片暴露于光有关的处理参数的函数。测量晶片的局部参数。基于晶片的局部参数确定覆盖误差。基于校准曲线计算处理图以校正晶片的覆盖误差。处理图将处理参数表示为晶片上位置的函数。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号