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- BARRIER CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION SLURRIES USING CERIA-COATED SILICA ABRASIVES

机译:-使用氧化铈包覆的二氧化硅磨料的屏障化学机械平面化浆液

摘要

A chemical mechanical planarization (CMP) polishing composition comprising composite particles, such as ceria coated silica particles, provides adjustable abrasion selectivity values between different films. The composition allows a high removal rate for interconnect metal and silicon oxide dielectrics while providing a polish stop on low-K dielectrics, a-Si and tungsten films. The chemical mechanical planarization (CMP) polishing composition exhibited excellent performance using a soft polishing pad.
机译:包含复合颗粒,例如二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒的化学机械平面化(CMP)抛光组合物,可在不同膜之间提供可调节的耐磨选择性值。该组合物可实现互连金属和氧化硅电介质的高去除率,同时在低K电介质,a-Si和钨膜上提供抛光停止。化学机械平坦化(CMP)抛光组合物使用软抛光垫表现出优异的性能。

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