首页> 中国专利> 使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法

使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法；包括电压泵模块，电压泵模块连接有耗尽型PMOS管，电压泵模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；耗尽型PMOS管连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准电压VDD。它可以使得汽车传感器芯片具有开路检测功能，提高系统可靠性。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-01-08

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01R 31/02 变更前: 变更后: 申请日:20081120

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-06-20

授权

授权
2010-09-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/02 申请日:20081120

实质审查的生效
2010-06-16

公开

公开

1. 使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法 [P] . 中国专利： CN101738559B . 2012.06.20
2. 可同时具有部分耗尽晶体管与完全耗尽晶体管的芯片及其制作方法 [P] . 中国专利： CN1293635C . 2007.01.03
3. Semiconductor memory device having full depletion type logic transistors and partial depletion type memory transistors [P] . 美国专利： US7507610B2 . 2009-03-24

机译：具有全耗尽型逻辑晶体管和部分耗尽型存储晶体管的半导体存储器件
4. Depletion-mode transistor that eliminates the need to separately set the threshold voltage of the depletion-mode transistor [P] . 美国专利： US7161216B1 . 2007-01-09

机译：耗尽型晶体管，无需单独设置耗尽型晶体管的阈值电压
5. Method for forming a depletion-mode transistor that eliminates the need to separately set the threshold voltage of the depletion-mode transistor [P] . 美国专利： US7144795B1 . 2006-12-05

机译：形成耗尽型晶体管的方法，不需要单独设置耗尽型晶体管的阈值电压