机译:使用综合耗尽模式模型评估耗尽型氧化物薄膜晶体管的迁移率
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机译:Ba0.4Sr0.6TiO3介电门控的低压耗尽型铟锡氧化物薄膜晶体管
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机译:使用耗尽型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的低功率扫描驱动器,用于高分辨率有源矩阵液晶显示器
机译:砷化铟铝/砷化铟镓/磷化铟增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管的铱基栅极结构的开发
机译:使用掺Sr的Al2O3栅介质的高迁移率喷墨印刷铟镓锌氧化物薄膜晶体管
机译:使用综合耗尽模式模型评估耗尽型氧化物薄膜晶体管的迁移率